5G HF-JFETs und LDMOS-FETs

Die 5G HF-Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (JFETs) und seitlich diffuse Metalloxid-Halbleiter- (LDMOS) -FETs von MACOM sind thermisch verbesserte Hochleistungstransistoren für die nächste Generation der drahtlosen Übertragung. Diese Bauteile verfügen über eine GaN-on-SiC-HEMT-Technologie (High Electron Mobility Transistor, HEMT), eine Eingangsanpassung, einen hohen Wirkungsgrad und ein thermisch verbessertes oberflächenmontiertes Gehäuse mit einem ohrlosen Flansch. Die 5-G-HF-JFETs und LDMOS-FETs von MACOM sind ideal für Multi-Standard-Mobilfunk-Leistungsverstärkerapplikationen. 

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MACOM GaN FETs 300W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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17Auf Lager
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113.27 CHF
95.84 CHF
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91.30 CHF
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: 50
MACOM MOSFET HF-Transistoren 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz
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90Auf Lager
Cut-Tape
94.97 CHF
79.39 CHF
77.05 CHF
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: 250
MACOM GaN FETs 270W GaN HEMT 48V 2496 to 2690MHz
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53Auf Lager
Cut-Tape
165.48 CHF
140.75 CHF
139.65 CHF
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139.65 CHF
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: 50
MACOM GaN FETs 280W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM GaN FETs 200W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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MACOM GaN FETs 400W GaN HEMT 48V 3400 to 3600MHz
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