Résultats: 9
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 5 586En stock
Bande coupée
1.54 CHF
0.736 CHF
0.658 CHF
0.519 CHF
0.49 CHF
Bobine
0.419 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 7 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 3 868En stock
Bande coupée
1.76 CHF
0.854 CHF
0.761 CHF
0.605 CHF
0.561 CHF
Bobine
0.504 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 12 487En stock
Bande coupée
1.56 CHF
0.745 CHF
0.654 CHF
0.519 CHF
Bobine
0.421 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 4 A 2 Ohms 20 V 2.5 V 10 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 4 916En stock
Bande coupée
2.15 CHF
1.07 CHF
0.955 CHF
0.762 CHF
0.747 CHF
Bobine
0.667 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 15En stock
2 00031.12.2026 attendu
2.10 CHF
1.16 CHF
0.917 CHF
0.732 CHF
0.728 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 6 A 1.2 Ohms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 27 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 5En stock
2 50018.02.2027 attendu
Bande coupée
2.73 CHF
1.54 CHF
1.19 CHF
0.983 CHF
0.945 CHF
Bobine
0.845 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 460En stock
63 00007.01.2027 attendu
Bande coupée
1.25 CHF
0.693 CHF
0.513 CHF
0.402 CHF
0.369 CHF
Bobine
0.279 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000
Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 3.7 Ohms 20 V 2.5 V 6 nC - 55 C + 150 C 6 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
2 99922.10.2026 attendu
2.05 CHF
1.44 CHF
1.10 CHF
0.945 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 9 A 750 mOhms 20 V 2.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 73 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW Délai de livraison produit non stocké 26 Semaines
2.73 CHF
1.37 CHF
1.24 CHF
1.00 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 14 A 450 mOhms 20 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube