NV60x GaNFast™ Power FETs

Navitas Semiconductor NV60x GaNFast™ Power FETs are high‑performance enhancement‑mode GaN power devices engineered for fast‑switching, high‑efficiency power systems. These FETs feature ultra‑low gate charge, zero reverse‑recovery behavior, and minimized output charge, enabling high‑frequency operation up to 10MHz across the series. The Navitas Semiconductor NV60x supports 700V continuous and 800V transient drain‑to‑source voltages, providing robust headroom for demanding AC‑DC, DC‑DC, and DC‑AC topologies.

Risultati: 8
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Scheda dati
780A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Scheda dati
788A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Scheda dati
739A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Scheda dati
741A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 450mOhm PQFN 56
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT QFN-8 700 V 2.7 A 600 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 0.85 nC - 55 C + 150 C 25.4 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 260mOhm PQFN 56
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 5 A 364 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 1.5 nC - 55 C + 150 C
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFast Discrete 650V 150mOhm PQFN 56
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 8 A 190 mOhms - 10 V, 7 V 2.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 57 W
Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 120mOhm PQFN 56
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

SMD/SMT PQFN-8 800 V 13 A 170 mOhms - 10 V, 7 V 2.8 V 2.6 nC - 55 C + 150 C