N-Kanal OptiMOS ™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs

N-Kanal OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs von Infineon Technologies sind normalstufige N-Kanal-Bauteile mit überlegenem thermischem Widerstand. Die OptiMOS 7 80-V-Leistungs-MOSFET-Baureihe verfügt über eine Soft-Recovery-Body-Diode und ist für 175°C ausgelegt. Die OptiMOS 7 80-V-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind in einem PG‐TDSON‐8-Gehäuse erhältlich und für Motorantriebe und Synchrongleichrichtungs-Applikationen optimiert.

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 Herst.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Datenblatt
135Auf Lager
20 000Auf Bestellung
Cut-Tape
2.61 CHF
1.34 CHF
1.18 CHF
0.964 CHF
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Reel
0.746 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 167 A 2.4 mOhms 20 V 3.2 V 49 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 PowerTransistor, 80 V
Datenblatt
23 504Auf Bestellung
Cut-Tape
1.91 CHF
1.07 CHF
0.821 CHF
0.66 CHF
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Reel
0.488 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 122 A 3.4 mOhms 20 V 3.2 V 34 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8
Datenblatt
Vorlaufzeit 53 Wochen
Cut-Tape
2.85 CHF
1.87 CHF
1.34 CHF
1.12 CHF
1.08 CHF
Reel
0.973 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 209 A 1.9 mOhms 20 V 3.2 V 60 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape