Dual N-Channel 80V Automotive Power MOSFET

onsemi Dual N-Channel 80V Automotive Power MOSFET is available in a 5mm x 6mm flat-lead package ideal for compact and efficient designs. The 80V device features a 6.9mΩ RDS(on) (drain-source on-resistance) to minimize conductive losses. The MOSFET includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The device is also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Qualifica Confezione
onsemi MOSFET T8 80V LL SO8FL DS 11 512A magazzino
7 50017.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 4 500
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET T8 80V LL SO8FL DS 1 755A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 170
: 1 500

Si SMD/SMT SO-8FL-Dual-8 N-Channel 2 Channel 80 V 14 A, 74 A 6.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 90 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel