SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs

Toshiba  SSM6K51xNU Silizium-n-Kanal-MOSFETs sind Teil des umfangreichen Portfolios von MOSFETs von Toshiba in verschiedenen Schaltungskonfigurationen und Gehäusen. Die Bauteile verfügen über eine hohe Geschwindigkeit, eine hohe Leistungsfähigkeit, einen niedrigen Verlust, einen niedrigen Einschaltwiderstand, ein kleines Gehäuse und vieles mehr. Die SSM6K51xNU eignen sich hervorragend für Leistungsmanagement-Schalter und verfügen über eine Hochgeschwindigkeits-Schaltung. Sie verfügen über einen Antrieb von 1,5 V mit niedrigem Drain-Source-On-Widerstand.

Ergebnisse: 3
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Montageart Verpackung/Gehäuse Transistorpolung Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Verpackung

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A 5 045Auf Lager
Cut-Tape
0.765 CHF
0.343 CHF
0.30 CHF
0.229 CHF
Reel
0.154 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs UDFN6B N-CH 30V 6A 5 998Auf Lager
3 000erwartet ab 20.11.2026
Cut-Tape
0.632 CHF
0.285 CHF
0.251 CHF
0.191 CHF
Reel
0.146 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFETs 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V 4 135Auf Lager
Cut-Tape
0.632 CHF
0.285 CHF
0.251 CHF
0.191 CHF
Reel
0.146 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel