DTMOSV Super Junction MOSFETs

Toshiba DTMOSV Super Junction MOSFETs are N-channel, deep trench semiconductor technology for high-efficient power MOSFETs. The DTMOSV operates with lower EMI noise, and a 17% reduction On-Resistance RDS(ON) compared to the DTMOSIV MOSFETs. The DTMOSV has a deep trench etching process, that results in a narrowing of cell pitch, and a lowering of RDS(ON) when compared with more conventional planar processes. DTMOSV Super Junction MOSFETs are ideal to improve performance and facilitate the design of power conversion applications. Applications include switching power supplies, power factor correction (PFC) designs, and LED lighting.

Risultati: 12
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale Confezione
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 60W 380pF 7.0A 1 900A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 35W 730pF 11.5A 1 043A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 80W 590pF 9.7A 3 850A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 3 372A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 60W 380pF 7.0A 1 357A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 35W 730pF 11.5A 97A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 100W 730pF 11.5A 741A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11.5 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 25 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement DTMOSV Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 30W 380pF 7.0A 177A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 590pF 9.7A Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 650V 80W 590pF 9.7A Tempo di consegna, se non a magazzino 24 settimane
Min: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9.7 A 380 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement DTMOSV Reel
Toshiba MOSFET N-Ch DTMOSV 600V 30W 380pF 7.0A Tempo di consegna, se non a magazzino 18 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 560 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement DTMOSV Tube