Diodes à barrière de Schottky SiC TRSxE65F

Les diodes à barrière de Schottky SiC TRSxE65F de Toshiba présentent la conception de puces de 2e génération et sont fournies en variantes TRS6E65F et TRS8E65F. Les diodes TRSxE65F disposent d'un courant de surtension élevé, d'une petite capacité de jonction et d'un petit courant inverse. Ces diodes sont disponibles en dimensions de 10,05 mm x 15,3 mm x 4,45 mm. Les diodes à barrière de Schottky TRSxE65F sont idéales pour une utilisation dans la correction du facteur de puissance, les alimentations sans interruption et les convertisseurs CC-CC.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Conditionnement
Toshiba Diodes Schottky SiC V=650 IF=8A
Fiche technique
7En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.45 V 69 A 400 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 2A RDL SIC SKY
Fiche technique
168En stock
30014.08.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 2 A 650 V 1.45 V 21 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC V=650 IF=6A
Fiche technique
9621.09.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.45 V 55 A 300 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 10A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 10 A 650 V 1.45 V 83 A 500 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 12A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 12 A 650 V 1.45 V 97 A 600 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 3A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 27 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 3 A 650 V 1.45 V 27 A 200 nA + 175 C Tube
Toshiba Diodes Schottky SiC RECT 650V 4A RDL SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 16 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole TO-220F-2L Single 4 A 650 V 1.45 V 39 A 200 nA + 175 C Tube