Diodes à barrière de Schottky SiC TO-220ACG

Les diodes à barrière de Schottky (SBD) au carbure de silicium (SiC) TO-220ACG de ROHM Semiconductor disposent d'une plage de tension inverse de 650 V à 1 200 V et d'une plage de courant inverse continu de 1,2 µA à 20,0 µA. La technologie SiC permet à ces composants de maintenir une faible charge capacitive (QC), réduisant la perte de commutation tout en permettant un fonctionnement de commutation à haute vitesse. De plus, contrairement aux diodes à récupération rapide basées sur Si, où le temps de récupération inverse augmente avec la température, les dispositifs SiC maintiennent des caractéristiques constantes, ce qui aboutit à de meilleures performances.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Configuration
If - Courant direct
Vrrm - Tension inverse répétitive
Vf - Tension directe
Ifsm - Courant de surtension direct
Ir - Courant inverse
Température de fonctionnement max.
Vr - Tension inverse
Conditionnement
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY
Fiche technique
2 550En stock
10.53 CHF
5.95 CHF
5.87 CHF
5.83 CHF
5.51 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 1.2 kV 1.6 V 62 A 300 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen
Fiche technique
6 315En stock
6.43 CHF
3.49 CHF
3.20 CHF
2.88 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 15 A 650 V 1.55 V 52 A 300 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY
Fiche technique
891En stock
12.72 CHF
7.34 CHF
7.05 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 1.2 kV 1.6 V 79 A 400 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 8A, 2nd Gen
Fiche technique
1 674En stock
4.82 CHF
2.54 CHF
2.31 CHF
1.94 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 8 A 650 V 1.55 V 30 A 160 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 10A, 2nd Gen
Fiche technique
755En stock
5.31 CHF
2.81 CHF
2.56 CHF
2.21 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 650 V 1.55 V 38 A 200 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY
Fiche technique
1 277En stock
5.71 CHF
3.04 CHF
2.79 CHF
2.45 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 5 A 1.2 kV 1.6 V 23 A 100 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC RECT 1.2KV 10A RDL SIC SKY
Fiche technique
455En stock
8.17 CHF
4.51 CHF
4.17 CHF
3.95 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-220ACG-2 Single 10 A 1.2 kV 1.6 V 42 A 200 uA + 175 C 1.2 kV Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Through Hole TO-220ACG-2 Single 6 A 650 V 1.55 V 23 A 120 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC RECT 650V 12A SM SIC SKY
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Through Hole TO-220ACG-2 Single 12 A 650 V 1.55 V 43 A 240 uA + 175 C 650 V Tube
ROHM Semiconductor Diodes Schottky SiC SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 21 Semaines
Through Hole TO-220ACG-2 Single 20 A 650 V 1.55 V 68 A 400 uA + 175 C 650 V Tube