MOSFET di potenza R8002ANJ e R8005ANJ e R8008ANJ

I MOSFET di potenza R8002ANJ e R8005ANJ e R8008ANJ di ROHM Semiconductor presentano bassa resistenza in conduzione e commutazione rapida. I MOSFET sono adatti per applicazioni di commutazione. I dispositivi presentano bassa resistenza in conduzione, hanno una velocità di commutazione rapida e una tensione gate-source (VGSS) garantita di ±30 V.

Risultati: 3
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 2A N-CH MOSFET
Scheda dati
1 919A magazzino
Nastro continuo
2.99 CHF
1.96 CHF
1.36 CHF
1.11 CHF
Nastrati
1.09 CHF
1.04 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.3 Ohms 30 V 5 V 13 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 5A N-CH MOSFET
Scheda dati
1 986A magazzino
Nastro continuo
3.67 CHF
2.42 CHF
1.71 CHF
1.47 CHF
Nastrati
1.40 CHF
1.38 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 2.1 Ohms 30 V 5 V 20 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO263 800V 8A N-CH MOSFET
Scheda dati
826A magazzino
Nastro continuo
4.75 CHF
2.50 CHF
2.27 CHF
2.07 CHF
Nastrati
1.95 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000
Si SMD/SMT TO-263S-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 1.03 Ohms 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 195 W Enhancement Reel, Cut Tape