Transistori resistore di polarizzione PNP NBSAMXW

Onsemi NSBAMXW I PNP polarizzione resistore transistori (BRT) sono progettati per sostituire un singolo dispositivo e i relativi resistore polarizzione rete esterni. Questi PNP polarizzione resistore transistori contengono un singolo transistor con un monolitico polarizzione rete costituito da due resistori un serie base resistore e un resistore base-emettitore. I BRT eliminano i componenti individuali integrandoli in un unico dispositivo. L'uso di un BRT riduce il costo del sistema e lo spazio sulla scheda. Gli NSBAMXW di Theonsemi sono alloggiati in un package XDFNW3 che offre prestazioni termiche superiori. Questi dispositivi sono ideali per applicazioni di montaggio superficiale dove lo spazio sulla scheda e l'affidabilità sono fondamentali.

Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Configurazione
Polarità transistor
Resistenza di ingresso tipica
Rapporto di resistenza tipico
Stile di montaggio
Package/involucro
Collettore DC/Guadagno base hfe Min
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Corrente continua collettore
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Serie
Confezione
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 2.2 kOhms 0.22 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 4.7 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 15 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 10 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 80 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
2 989A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 2.2 kOhms 0.22 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 22 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 60 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 4.7 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 15 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape
onsemi Transistor digitali PBRT, 50V, XDFNW3
Scheda dati
3 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 300
: 3 000

Single PNP 47 kOhms 1 SMD/SMT DFN-3 35 at - 5 mA, - 10 V 50 V 100 mA 450 mW - 65 C + 150 C NSBAMXW Reel, Cut Tape