Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)
Les transistors numériques (BRT)EMD4DXV6 d'onsemi sont conçus pour remplacer un composant unique et son réseau de polarisation par résistance externe. Les transistors à résistance de polarisation (BRT) intègrent un transistor unique avec un réseau de polarisation monolithique comprenant deux résistances : une résistance de base en série et une résistance base-émetteur. Ces BRT éliminent ces composants individuels en les intégrant dans un seul appareil. Les transistors EMD4DXV6 présentent une tension collecteur-base de 50 Vcc, une tension collecteur-émetteur de 50 Vcc et un courant de collecteur de 100 mAdc. Ces transistors supportent une plage de températures de jonction et de stockage de -55 °C à +150 °C.
