SiC MOSFET – Mouser Suisse

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MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

Les MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile STMicroelectronics ont été développés développés à l’aide de la technologie de pointe et innovante SiC MOSFET de 2e/3e génération de S . Les composants sont dotés d’une faible résistance par unité de surface à l’état passant et de très bonnes performances de commutatio . Les MOSFET peuvent fonctionner à des températures très élevées (TJ = 200°C) et comportent une diode de structure interne très rapide et robuste.

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Vds - Tension de rupture drain-source

Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

Vgs - Tension grille-source

Vgs th - Tension de seuil grille-source

Qg - Charge de grille

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Pd - Dissipation d’énergie

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Référence

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

SCT020HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 18.04 CHF
11En stock
1 200Sur commande
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT020HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT020HU120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HU3PAK package

Fiche technique

11En stock

1 200Sur commande

Bande coupée

18.04 CHF

13.48 CHF

11.38 CHF

Bobine

10.31 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

555 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

SCT012W90G3-4AG
STMicroelectronics
1: 17.60 CHF
630En stock

Fab. Numéro de référence
SCT012W90G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT012W90G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

630En stock

17.60 CHF

11.09 CHF

9.77 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

15.8 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

138 nC

- 55 C

+ 200 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 21.19 CHF
580En stock

Fab. Numéro de référence
SCT015W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT015W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

580En stock

21.19 CHF

16.96 CHF

14.67 CHF

13.89 CHF

Devis

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

129 A

15 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

167 nC

- 55 C

+ 200 C

673 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

SCT020W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16.04 CHF
311En stock
600Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT020W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT020W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

311En stock

600Sur commande

16.04 CHF

10.03 CHF

9.54 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

Hip247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

100 A

28 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

121 nC

- 55 C

+ 200 C

541 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG
STMicroelectronics
1: 15.03 CHF
310En stock
60029.01.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025W120G3AG

Référence Mouser
511-SCT025W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247 package

Fiche technique

310En stock

60029.01.2027 attendu

15.03 CHF

9.35 CHF

8.77 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

SCT040W120G3AG
STMicroelectronics
1: 11.02 CHF
457En stock

Fab. Numéro de référence
SCT040W120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040W120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247 package

Fiche technique

457En stock

11.02 CHF

7.74 CHF

5.91 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

SCT012H90G3AG
STMicroelectronics
1: 17.45 CHF
11En stock
1 00025.06.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT012H90G3AG

Référence Mouser
511-SCT012H90G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 900 V, 12 mOhm typ., 110 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

11En stock

1 00025.06.2027 attendu

Bande coupée

17.45 CHF

12.52 CHF

11.37 CHF

11.36 CHF

Bobine

10.62 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

900 V

110 A

12 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

138 nC

- 55 C

+ 175 C

625 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

SCT025W120G3-4AG
STMicroelectronics
1: 16.73 CHF
49En stock
1 20005.02.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025W120G3-4AG

Référence Mouser
511-SCT025W120G3-4AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

49En stock

1 20005.02.2027 attendu

16.73 CHF

11.54 CHF

10.54 CHF

9.69 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

56 A

37 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

73 nC

- 55 C

+ 200 C

388 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

SCT040HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.81 CHF
21En stock
600Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT040HU65G3AG

Référence Mouser
511-SCT040HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

21En stock

600Sur commande

Bande coupée

10.81 CHF

7.54 CHF

6.13 CHF

Bobine

5.73 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

650 V

7 A

40 mOhms

- 30 V, + 30 V

5 V

36 nC

- 55 C

+ 150 C

266 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

SCT016H120G3AG
STMicroelectronics
1: 19.80 CHF
5En stock
1 000Sur commande
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT016H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT016H120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 16 mOhm typ., 112 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

5En stock

1 000Sur commande

Bande coupée

19.80 CHF

14.31 CHF

13.34 CHF

Bobine

12.47 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

112 A

22 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

150 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1: 16.53 CHF
5En stock
60019.02.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCTW40N120G2VAG

Référence Mouser
511-SCTW40N120G2VAG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H

Fiche technique

5En stock

60019.02.2027 attendu

16.53 CHF

9.05 CHF

7.85 CHF

7.68 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP-247-3

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

36 A

100 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.9 V

61 nC

- 55 C

+ 200 C

278 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

SCT011HU75G3AG
STMicroelectronics
1: 21.78 CHF
1 19707.05.2027 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT011HU75G3AG

Référence Mouser
511-SCT011HU75G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 750 V, 11.4 mOhm typ., 110 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1 19707.05.2027 attendu

Bande coupée

21.78 CHF

16.73 CHF

15.03 CHF

Bobine

13.61 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

750 V

110 A

15 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.2 V

154 nC

- 55 C

+ 175 C

652 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

SCT025H120G3AG
STMicroelectronics
1: 14.33 CHF
1 99712.02.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT025H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT025H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

1 99712.02.2027 attendu

Bande coupée

14.33 CHF

10.34 CHF

9.02 CHF

8.65 CHF

Bobine

8.41 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

55 A

37 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

73 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

SCT040H120G3AG
STMicroelectronics
1: 10.81 CHF
99602.11.2026 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT040H120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040H120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an H2PAK-7 package

Fiche technique

99602.11.2026 attendu

Bande coupée

10.81 CHF

7.54 CHF

6.13 CHF

Bobine

5.73 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 1 000

SMD/SMT

H2PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

SCT040HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 11.46 CHF
1 20019.03.2027 attendu
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
SCT040HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT040HU120G3AG

Nouveau produit

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1 20019.03.2027 attendu

Bande coupée

11.46 CHF

8.52 CHF

7.06 CHF

Bobine

6.18 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

3 V

54 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

SCT055HU65G3AG
STMicroelectronics
1: 10.73 CHF
1 80026.02.2027 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT055HU65G3AG

Référence Mouser
511-SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A

Fiche technique

1 80026.02.2027 attendu

Bande coupée

10.73 CHF

8.18 CHF

6.81 CHF

Bobine

6.07 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

650 V

30 A

72 mOhms

- 10 V, + 22 V

4.2 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

185 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT070HU120G3AG
STMicroelectronics
1: 11.53 CHF
1 19928.09.2026 attendu

Fab. Numéro de référence
SCT070HU120G3AG

Référence Mouser
511-SCT070HU120G3AG

STMicroelectronics

SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package

Fiche technique

1 19928.09.2026 attendu

Bande coupée

11.53 CHF

8.11 CHF

6.71 CHF

Bobine

6.26 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 600

SMD/SMT

HU3PAK-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

30 A

87 mOhms

- 18 V, + 18 V

4.2 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

223 W

Enhancement

AEC-Q101

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1: 10.23 CHF
100Sur commande

Fab. Numéro de référence
SCT040W120G3-4

Référence Mouser
511-SCT040W120G3-4

STMicroelectronics

SiC MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package

Fiche technique

100Sur commande

10.23 CHF

6.87 CHF

6.03 CHF

5.17 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

HiP247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

40 A

54 mOhms

- 10 V, + 22 V

3.1 V

56 nC

- 55 C

+ 200 C

312 W

Enhancement

AEC-Q101

MOSFET de puissance au carbure de silicium de classe automobile

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