MOSFET di potenza a canale N Standard HiPerFET™

I MOSFET di potenza HiPerFET a canale N standard di IXYS™ sono progettati per applicazioni sia a commutazione fissa che in modalità risonante. Questi dispositivi offrono una bassa carica del gate e un'eccellente robustezza con un diodo intrinseco rapido. Questi dispositivi sono disponibili in molti pacchetti industriali standard, tra cui tipi isolati.

Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.50 Rds
Scheda dati
440A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 3 Amps 1200V 4.5 Rds
Scheda dati
1 528A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
Scheda dati
300Disponibile a magazzino presso produttore
Altre informazioni disponibili
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRL
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET IXFA3N120 TRR
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 800
Mult.: 800
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 1.2 kV 3 A 4.5 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 39 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement Reel
IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 26 settimane
Min: 25
Mult.: 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds
Scheda dati
Non disponibile a magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 70 V 180 A 6 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 38A
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane
Min: 300
Mult.: 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube