MOSFET a canale N PSMN6R1

I MOSFET a canale N PSMN6R1 di Nexperia  sono doppi MOSFET a canale N di livello logico alloggiati in un package LFPAK56D (dual power-SO8). I MOSFET Nexperia utilizzano la tecnologia TrenchMOS. I dispositivi sono certificati a valanga ripetitiva e qualificati per 175 °°C.

Risultati: 2
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia Stile di montaggio Package/involucro Polarità transistor Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Confezione
Nexperia MOSFET PSMN6R1-40HL/SOT1205/LFPAK56D 13 468A magazzino
Nastro continuo
1.77 CHF
1.12 CHF
0.756 CHF
0.613 CHF
Nastrati
0.536 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 7.2 mOhms 10 V 2.1 V 22.2 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET PSMN6R8-40HS/SOT1205/LFPAK56D 81A magazzino
1 500In ordine
Nastro continuo
1.92 CHF
1.02 CHF
0.829 CHF
0.665 CHF
Nastrati
0.514 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 1 500
Si SMD/SMT LFPAK-56D-8 N-Channel 2 Channel 40 V 40 A 6.8 mOhms 20 V 4 V 28.9 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel