Risultati: 10
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 250A magazzino
Nastro continuo
22.10 CHF
17.18 CHF
16.40 CHF
16.27 CHF
Nastrati
16.27 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 639A magazzino
7.10 CHF
4.71 CHF
4.34 CHF
4.31 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 312A magazzino
Nastro continuo
9.87 CHF
5.56 CHF
5.43 CHF
5.14 CHF
Nastrati
5.14 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217A magazzino
14.03 CHF
8.10 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 497A magazzino
8.16 CHF
5.42 CHF
5.10 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TOLL 650V 1 364A magazzino
Nastro continuo
10.19 CHF
6.23 CHF
5.88 CHF
Nastrati
5.88 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V 202A magazzino
23.16 CHF
16.26 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 297A magazzino
1 350In ordine
7.68 CHF
4.31 CHF
3.97 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS 60MOHM 900V 330A magazzino
Nastro continuo
10.70 CHF
6.87 CHF
6.50 CHF
Nastrati
6.50 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13A magazzino
45009.02.2027 previsto
8.71 CHF
5.25 CHF
4.26 CHF
3.88 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC