Résultats: 10
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 626En stock
7.10 CHF
4.71 CHF
4.34 CHF
4.31 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 2 094En stock
Bande coupée
26.20 CHF
20.98 CHF
18.14 CHF
17.18 CHF
Bobine
16.05 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En stock
14.03 CHF
8.10 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497En stock
8.16 CHF
5.42 CHF
5.10 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202En stock
23.16 CHF
16.26 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En stock
Bande coupée
9.87 CHF
5.56 CHF
5.43 CHF
5.14 CHF
Bobine
5.14 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 258En stock
1 350Sur commande
7.68 CHF
4.31 CHF
3.97 CHF
3.44 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 330En stock
Bande coupée
10.70 CHF
6.87 CHF
6.50 CHF
Bobine
6.50 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En stock
45009.02.2027 attendu
8.71 CHF
5.25 CHF
4.26 CHF
3.88 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines
Bande coupée
10.96 CHF
8.35 CHF
6.95 CHF
6.20 CHF
5.27 CHF
Bobine
5.27 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC