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Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 245En stock
Bande coupée
22.10 CHF
17.18 CHF
16.40 CHF
16.27 CHF
Bobine
16.27 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 639En stock
7.10 CHF
4.71 CHF
4.34 CHF
4.31 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312En stock
Bande coupée
9.87 CHF
5.56 CHF
5.43 CHF
5.14 CHF
Bobine
5.14 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 217En stock
14.03 CHF
8.10 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 29 A 64.8 mOhms - 8 V, + 22 V 3.37 V 47.9 nC - 55 C + 175 C 163 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497En stock
8.16 CHF
5.42 CHF
5.10 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1 364En stock
Bande coupée
10.19 CHF
6.23 CHF
5.88 CHF
Bobine
5.88 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202En stock
23.16 CHF
16.26 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3 297En stock
1 350Sur commande
7.68 CHF
4.31 CHF
3.97 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 60MOHM 900V 330En stock
Bande coupée
10.70 CHF
6.87 CHF
6.50 CHF
Bobine
6.50 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 70MOHM 1200V M3 13En stock
45009.02.2027 attendu
8.71 CHF
5.25 CHF
4.26 CHF
3.88 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 37 A 91 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 49 nC - 55 C + 175 C 252 W Enhancement EliteSiC