MOSFET di potenza SiC da 1200 V 91 A SCTW70N120G2V

Il MOSFET di potenza SiC (carburo di silicio) SCTW70N120G2V da 1200 V 91 A di STMicroelectronics presenta una resistenza in conduzione minima e ottime prestazioni di commutazione quasi indipendenti dalla temperatura, grazie alle proprietà avanzate e innovative dei materiali ad ampia banda proibita. SCTW70N120G2V offre anche un diodo corpo intrinseco molto rapido e robusto e capacità di ingresso e carica del gate estremamente basse. Una temperatura nominale di 200 °C consente una migliore progettazione termica dei sistemi elettronici di potenza .

Risultati: 5
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
327A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
65A magazzino
1 20029.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Scheda dati
49A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Scheda dati
1 19928.09.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics MOSFET SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 32 settimane
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement