PBHV8110DA/PBHV9110DA Low Vce(sat) Transistors

PANJIT PBHV8110DA/PBHV9110DA Low Vce(sat) Transistors are AEC-Q101 qualified with a high collector current capability. The devices provide excellent DC gain characteristics in a SOT-23 package.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Maximaler Kollektorgleichstrom (DC)
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Panjit Bipolartransistoren - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
Datenblatt
7 327Auf Lager
18 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 NPN Single 1 A 100 V 120 V 6 V 220 mV 1.25 W 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolartransistoren - BJT PNP Low Vce(sat) Transistor
Datenblatt
349Auf Lager
18 000Auf Bestellung
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 PNP Single 1 A 100 V 120 V 6 V 430 mV 1.25 W 100 MHz - 55 C + 150 C AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolartransistoren - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

GPT-13TN Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit Bipolartransistoren - BJT NPN Low Vce(sat) Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

GPT-13TP Reel, Cut Tape, MouseReel