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SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R048M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
7.37 CHF
-
309Auf Lager
-
NRND
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Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R048M1HXKS
NRND
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Infineon Technologies
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SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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309Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
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Through Hole
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TO-247-4
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1 Channel
|
650 V
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39 A
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64 mOhms
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- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
33 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
125 W
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Enhancement
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CoolSiC
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SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
- AIMW120R045M1XKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
17.68 CHF
-
724Auf Lager
-
NRND
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Mouser-Teilenr.
726-AIMW120R045M1XKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs SIC_DISCRETE
|
|
724Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
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Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
52 A
|
59 mOhms
|
- 7 V, + 20 V
|
5.7 V
|
57 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
228 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
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SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMW65R027M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
11.58 CHF
-
1 731Auf Lager
-
NRND
|
Mouser-Teilenr.
726-IMW65R027M1HXKSA
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
1 731Auf Lager
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
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|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
650 V
|
47 A
|
34 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
62 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
189 W
|
Enhancement
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CoolSiC
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SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
- IMBF170R1K0M1XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
4.30 CHF
-
14Auf Lager
-
25 000Auf Bestellung
|
Mouser-Teilenr.
726-IMBF170R1K0M1XTM
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
|
|
14Auf Lager
25 000Auf Bestellung
Auf Bestellung:
2 000 erwartet ab 07.01.2027
Lieferzeit ab Hersteller:
53 Wochen
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Min.: 1
Mult.: 1
:
1 000
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SMD/SMT
|
TO-263-7
|
1 Channel
|
1.7 kV
|
5.2 A
|
1 Ohms
|
- 10 V, + 20 V
|
4.5 V
|
5 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
68 W
|
Enhancement
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CoolSiC
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SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
- IMW120R140M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
6.51 CHF
-
18Auf Lager
-
720Auf Bestellung
-
NRND
|
Mouser-Teilenr.
726-IMW120R140M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
|
|
18Auf Lager
720Auf Bestellung
Auf Bestellung:
240 erwartet ab 05.11.2026
Lieferzeit ab Hersteller:
52 Wochen
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
19 A
|
182 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
3.5 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
94 W
|
Enhancement
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CoolSiC
|
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|
|
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
- IMZ120R030M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
1:
13.02 CHF
-
2 160Auf Bestellung
-
NRND
|
Mouser-Teilenr.
726-IMZ120R030M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
|
|
2 160Auf Bestellung
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
1.2 kV
|
56 A
|
40 mOhms
|
- 7 V, + 23 V
|
5.7 V
|
63 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
227 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
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SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
- IMZA65R072M1HXKSA1
- Infineon Technologies
-
240:
3.44 CHF
-
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
-
NRND
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Mouser-Teilenr.
726-IMZA65R072M1HXKS
NRND
|
Infineon Technologies
|
SiC-MOSFETs SILICON CARBIDE MOSFET
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|
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
|
|
Min.: 240
Mult.: 240
|
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|
Through Hole
|
TO-247-4
|
1 Channel
|
650 V
|
28 A
|
94 mOhms
|
- 5 V, + 23 V
|
5.7 V
|
22 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
96 W
|
Enhancement
|
CoolSiC
|
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