GaN FETs – Mouser Schweiz

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TP65H030G4Px 650 V 30 mΩ GaN-FETs

Die TP65H030G4Px 650 V 30mΩ Gallium-Nitrid (GaN)-FETs von Renesas Electronics sind in TOLT-, TO247- und TOLL-Gehäusen erhältlich. Diese GaN-FETs nutzen die Gen IV Plus SuperGaN^®Plattform. Sie kombiniert einen hochmodernen Hochvolt-GaN-HEMT mit einem Niedervolt-Silizium-MOSFET, um ein überlegenes Betriebsverhalten, eine einfache Einführung und Zuverlässigkeit zu bieten.

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Bild	Teile-Nr.	Herst.	Beschreibung	Datenblatt	Verfügbarkeit	Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.	Menge	Montageart	Verpackung/Gehäuse	Transistorpolung	Anzahl der Kanäle	Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung	Id - Drain-Gleichstrom	Rds On - Drain-Source-Widerstand	Vgs - Gate-Source-Spannung	Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung	Qg - Gate-Ladung	Minimale Betriebstemperatur	Maximale Betriebstemperatur	Pd - Verlustleistung	Kanalmodus	Handelsname	Technologie
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT TP65H030G4PRS-TR Renesas Electronics 1: 8.57 CHF 1 806Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PRS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PRS-TR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLT Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	1 806Auf Lager	Cut-Tape 8.57 CHF 4.75 CHF 4.51 CHF Reel 3.93 CHF 3.84 CHF MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 1 300	SMD/SMT	TOLT-16	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L TP65H030G4PWS Renesas Electronics 1: 8.95 CHF 1 080Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PWS Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PWS Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	1 080Auf Lager	8.95 CHF 4.98 CHF 4.61 CHF 4.01 CHF 3.94 CHF	Min.: 1 Mult.: 1	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms	- 20 V, + 20 V	4.8 V	24.5 nC	- 55 C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN
GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL TP65H030G4PQS-TR Renesas Electronics 1: 8.53 CHF 229Auf Lager Neues Produkt	Herst. Teilenr. TP65H030G4PQS-TR Mouser-Teilenr. 227-TP65H030G4PQS-TR Neues Produkt	Renesas Electronics	GaN FETs 650V, 30mohm GaN FET in TOLL Mehr erfahren über Renesas Electronics renesas tp65h030g4px gan fets	Datenblatt	229Auf Lager	Cut-Tape 8.53 CHF 5.67 CHF 5.03 CHF 4.41 CHF 3.94 CHF Reel 3.80 CHF MouseReel verfügbar	Min.: 1 Mult.: 1 : 2 000	SMD/SMT	TOLL-10	N-Channel	1 Channel	650 V	55.7 A	41 mOhms		4.8 V	24.5 nC	- 55C	+ 150 C	192 W	Enhancement	SuperGaN	GaN

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