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FFSH SiC-Schottky-Dioden
onsemi FFSH Siliziumkarbid-Schottky-Dioden (SiC) bieten einen verbesserten Systemwirkungsgrad und verfügen über eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C. Diese Schottky-Dioden haben keinen Schaltverlust und verfügen über eine hohe Stoßstromleistung. Die Dioden nutzen Halbleiterwerkstoffe aus Siliziumkarbid für eine höhere Betriebsfrequenz. Sie steigern die Leistungsdichte und verringern Systemgröße und -kosten. Dadurch wird eine hohe Zuverlässigkeit und ein robuster Betrieb währende Stoßstrom- oder Überspannungsbedingungen gewährleistet.