DMN3027x n-Kanal-MOSFETs

Die DMN3027x N-Kanal-Anreicherungstyp-MOSFETs von Diodes Incorporated sind zur Minimierung des Durchlasswiderstands RDS(ON) bei gleichzeitiger erstklassiger Schaltleistung ausgelegt. Dieser MOSFET arbeitet bei einem Temperaturbereich von -55 °C bis 150 °C. Diese DMN3027x MOSFETs sind ideal für Hochleistungs-Applikationen im Energiemanagement.
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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
Datenblatt
2 000erwartet ab 11.10.2027
Cut-Tape
1.07 CHF
0.497 CHF
0.441 CHF
0.352 CHF
0.309 CHF
Reel
0.284 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel 30 V 5.3 A 13.5 mOhms 25 V 900 mV 11.3 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Cut-Tape
1.10 CHF
0.68 CHF
0.447 CHF
0.352 CHF
0.309 CHF
Reel
0.243 CHF
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 1 Channel Reel, Cut Tape, MouseReel