MOSFET SIC di 1.200 V

I MOSFET SIC di 1.200 V di Microchip Technology offrono un'alta efficienza in una soluzione più leggera e compatta. I dispositivi forniscono una bassa resistenza del gate interno (ESR), con conseguente elevata velocità di commutazione. I MOSFET sono semplici da azionare e facili da mettere in parallelo, con capacità termiche migliorate e minori perdite di commutazione.

Risultati: 8
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
25A magazzino
13.22 CHF
12.19 CHF
10.60 CHF
10.29 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
56A magazzino
10.94 CHF
10.09 CHF
8.78 CHF
8.52 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
95A magazzino
7.68 CHF
7.09 CHF
6.17 CHF
5.99 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
120A magazzino
7.15 CHF
6.59 CHF
5.74 CHF
5.57 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
97A magazzino
5.89 CHF
5.44 CHF
4.73 CHF
4.59 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
67A magazzino
5.05 CHF
4.66 CHF
4.05 CHF
3.93 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
115A magazzino
9.40 CHF
8.66 CHF
7.54 CHF
7.31 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology MOSFET SiC MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 6 settimane
10.60 CHF
9.23 CHF
8.96 CHF
Min: 60
Mult.: 30
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement