MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Les MOSFET G2 CoolSiC™ 1 400 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon Technologies sont proposés dans un boîtier à refusion TO-247PLUS-4. Ces Infineon MOSFET sont idéaux pour les applications à puissance de sortie élevée telles que la recharge des véhicules électriques (VE), les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les véhicules commerciaux/de chantier/agricoles (CAV), etc. La technologie CoolSiC™ MOSFET G2 1 400 V est une technologie de pointe offrant des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée. Le boîtier comporte une capacité de refusion (3 soudures par refusion possibles), permettant une résistance thermique plus faible.

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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Fiche technique
565En stock
32.54 CHF
23.51 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
190En stock
47.01 CHF
40.10 CHF
33.08 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
224En stock
27.47 CHF
22.00 CHF
19.02 CHF
18.01 CHF
Devis
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
230En stock
15.35 CHF
11.70 CHF
9.74 CHF
8.69 CHF
8.12 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE
Fiche technique
414En stock
12.07 CHF
6.80 CHF
6.66 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET
Fiche technique
238En stock
Bande coupée
25.06 CHF
20.06 CHF
17.34 CHF
Bobine
17.34 CHF
16.42 CHF
Devis
Min. : 1
Mult. : 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
342En stock
12.22 CHF
9.31 CHF
7.76 CHF
6.91 CHF
6.46 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
Fiche technique
67En stock
24005.11.2026 attendu
17.13 CHF
12.80 CHF
11.06 CHF
10.47 CHF
Devis
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
109En stock
24005.11.2026 attendu
14.44 CHF
8.28 CHF
8.12 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
126En stock
240Sur commande
14.00 CHF
10.67 CHF
8.89 CHF
7.92 CHF
7.39 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology
Fiche technique
1 440Sur commande
10.67 CHF
7.96 CHF
6.64 CHF
5.16 CHF
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC