MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx 1.200 V

I MOSFET di potenza a canale N DMWSH120Hx di Diodes Incorporated da 1.200 V sono MOSFET al carburo di silicio progettati per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e mantenere eccellenti prestazioni di commutazione. Questi MOSFET presentano una bassa capacità di ingresso, corrente di drain della tensione a gate zero fino a 100 μA, dispersione gate-source fino a ±250 nA e un elevato valore BV_DSS per le applicazioni di potenza. I MOSFET DMWSH120Hx operano nell’intervallo di temperatura da -55 °C a 175 °C e sono conformi alla classificazione di infiammabilità UL 94 V-0. Questi MOSFET di potenza sono ideali per i convertitori CC-CC ad alta potenza, i sistemi di ricarica dei veicoli elettrici, gli inverter solari, gli inverter di trazione CA-CC e i driver dei motori automobilistici.