NTH4L025N065SC1

onsemi
863-NTH4L025N065SC1
NTH4L025N065SC1

Produttore:

Descrizione:
MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V

Scheda dati:
Modello ECAD:
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onsemi
Categoria prodotto: MOSFET SiC
RoHS::  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
99 A
28.5 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
164 nC
- 55 C
+ 175 C
348 W
Enhancement
EliteSiC
Marchio: onsemi
Configurazione: Single
Tempo di caduta: 8 ns
Transconduttanza diretta - Min: 27 S
Confezione: Tube
Tipo di prodotto: SiC MOSFETS
Tempo di salita: 19 ns
Serie: NTH4L025N065SC1
Quantità colli di fabbrica: 30
Sottocategoria: Transistors
Tecnologia: SiC
Ritardo di spegnimento tipico: 32 ns
Tipico ritardo di accensione: 17 ns
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

PCN

Codici di conformità
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Cina
Paese di origine dell'assemblaggio:
Cina
Paese di diffusione:
Repubblica di Corea
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

MOSFET al carburo di silicio da 19 mohm NTH4L025N065SC1

I MOSFET al carburo di silicio NTH4L025N065SC1 19mohm di Onsemi   sono alloggiati in un package TO-247-4L e sono progettati per essere rapidi e robusti. I dispositivi NTH4L025N065SC1di Onsemi   offrono una forza di campo di rottura dielettrica 10 volte maggiore e una velocità di saturazione degli elettroni 2 volte maggiore. I MOSFET offrono anche un intervallo di banda di energia 3 volte superiore e una conduttività termica 3 volte maggiore. Tutti   i MOSFET SiC di Onsemi    sono qualificati AEC-Q101 e compatibili con PPAP e sono specificamente progettati e qualificati per le applicazioni nel settore automobilistico e industriale.

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I MOSFET onsemi a 650V al carburo di silicio (SiC) offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio (Si). Questi MOSFET SiC da 650 V presentano una bassa resistenza di accensione e una dimensione compatta del chip per garantire una bassa capacità e carica di gate. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

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