100 V bis 150 V StrongIRFET™ Leistungs-MOSFETs

Infineon TechnologiesInfineon Technologies StrongIRFET ™ 100-V- bis 150-V-Leistungs-MOSFETs sind für einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) und eine hohe Strombelastbarkeit optimiert. Diese Bauteile bieten einen RDS(on) von nur 1,3 mΩ bei 100 V und eine Strombelastbarkeit von bis zu 209 A bei 100 V. Diese Merkmale führen zu geringeren Leitungsverlusten und einer höheren Leistungsdichte, während gleichzeitig ältere Designs berücksichtigt werden. Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFETs sind ideal für Niederfrequenzapplikationen, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio deckt ein breites Spektrum an Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
4 753Auf Lager
400Auf Bestellung
6.06 CHF
3.25 CHF
2.98 CHF
2.68 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1 884Auf Lager
7.10 CHF
4.00 CHF
3.42 CHF
3.22 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
7 687Auf Lager
4.81 CHF
2.53 CHF
2.31 CHF
1.92 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >80 - 100V
Datenblatt
13 684Auf Lager
7.97 CHF
4.86 CHF
4.43 CHF
4.07 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
1 520Auf Lager
3.51 CHF
2.30 CHF
1.71 CHF
1.43 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IFX FET >100-150V
Datenblatt
1 379Auf Lager
1 200erwartet ab 11.02.2027
9.01 CHF
5.04 CHF
4.64 CHF
4.56 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
2 084Auf Lager
3 600erwartet ab 10.06.2027
6.80 CHF
4.78 CHF
3.88 CHF
3.43 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Datenblatt
674Auf Lager
15.72 CHF
10.89 CHF
9.07 CHF
8.30 CHF
7.66 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFETs IR FET >60-400V
Datenblatt
2 602Auf Lager
2 400erwartet ab 24.12.2026
6.82 CHF
3.73 CHF
3.43 CHF
3.04 CHF
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Datenblatt
33 402Auf Bestellung
3.24 CHF
1.79 CHF
1.53 CHF
1.32 CHF
Anzeigen
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(120V 300V)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
6.24 CHF
6.05 CHF
Min.: 400
Mult.: 400
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube