MOSFET di potenza StrongIRFET™ da 100 V a 150 V

I MOSFET di potenza StrongIRFET™ da 100 V a 150 V di Infineon Technologies  sono ottimizzati per bassa resistenza in conduzione (RDS(on) e alta capacità di corrente. Questi dispositivi offrono un RDS(on) fino a 1,3 mΩ a 100 V e una capacità di gestione della corrente fino a 209 A a 100 V. Queste caratteristiche riducono le perdite di conduzione e aumentano la densità di potenza pur rimanendo compatibili con le progettazioni precedenti. I MOSFET di potenza StrongIRFET sono ideali per applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il portafoglio completo si adatta a una vasta gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione della batteria, inverter e convertitori CC-CC.

Risultati: 11
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Qualifica
Confezione
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
4 788A magazzino
400In ordine
6.06 CHF
3.25 CHF
2.98 CHF
2.68 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 203 A 1.7 mOhms 20 V 3.8 V 168 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Scheda dati
1 931A magazzino
7.10 CHF
4.00 CHF
3.42 CHF
3.22 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 186 A 4.5 mOhms 20 V 4.6 V 80 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Scheda dati
7 687A magazzino
5.16 CHF
3.38 CHF
2.50 CHF
2.21 CHF
Visualizza
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 180 A 4.5 mOhms 20 V 2 V 150 nC - 55 C + 175 C 370 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
Scheda dati
13 686A magazzino
7.97 CHF
4.86 CHF
4.43 CHF
4.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 100 V 209 A 1.28 mOhms 20 V 3.8 V 330 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IRFP4310ZPBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Scheda dati
1 539A magazzino
3.51 CHF
2.30 CHF
1.71 CHF
1.43 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 6 mOhms 20 V 4 V 120 nC - 55 C + 175 C 280 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Scheda dati
1 418A magazzino
1 20011.02.2027 previsto
9.01 CHF
5.04 CHF
4.64 CHF
4.56 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 150 V 203 A 2.7 mOhms 20 V 4.6 V 160 nC - 55 C + 175 C 556 W Enhancement Tube


Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Scheda dati
2 260A magazzino
3 600In ordine
6.80 CHF
4.78 CHF
3.88 CHF
3.43 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 20 V 3 V 151 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Scheda dati
674A magazzino
15.72 CHF
10.89 CHF
9.07 CHF
8.30 CHF
7.66 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 4.8 mOhms 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP4468PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V
Scheda dati
2 644A magazzino
2 40019.08.2027 previsto
6.82 CHF
3.73 CHF
3.43 CHF
3.04 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 100 V 290 A 2.6 mOhms 20 V 2 V 360 nC - 55 C + 175 C 520 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFT 100V 51A 25mOhm 66.7nCAC
Scheda dati
33 408In ordine
3.24 CHF
1.79 CHF
1.53 CHF
1.32 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 25 mOhms 20 V 1.8 V 66.7 nC - 55 C + 175 C 180 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V)
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
6.24 CHF
6.05 CHF
Min: 400
Mult.: 400
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube