MOSFET a canale N in silicio TKx

I MOSFET a canale N in silicio TKx di Toshiba sono disponibili nei tipi U-MOSX-H e DTMOSVI e offrono caratteristiche prestazionali eccezionali. Questi MOSFET sono progettati con tempi di recupero inverso rapidi che migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità riducendo il ritardo tra gli stati di spegnimento e accensione. La bassa resistenza in conduzione drain-source [RDS(on)] contribuisce a minimizzare le perdite di potenza e a migliorare la gestione termica, rendendoli ideali per applicazioni che richiedono la gestione di alta corrente con bassa dissipazione di energia.

Risultati: 20
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
Confezione
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Scheda dati
50A magazzino
3.48 CHF
2.27 CHF
1.69 CHF
1.42 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Scheda dati
2 000A magazzino
Nastro continuo
6.31 CHF
4.22 CHF
3.39 CHF
3.01 CHF
2.68 CHF
Nastrati
2.68 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ
Scheda dati
1 961A magazzino
Nastro continuo
4.05 CHF
2.66 CHF
1.98 CHF
1.66 CHF
1.54 CHF
Nastrati
1.44 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ
Scheda dati
53A magazzino
6.37 CHF
4.27 CHF
3.43 CHF
3.05 CHF
2.71 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Scheda dati
1 960A magazzino
Nastro continuo
4.75 CHF
3.11 CHF
2.28 CHF
2.04 CHF
1.81 CHF
Nastrati
1.81 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Scheda dati
1 986A magazzino
Nastro continuo
3.48 CHF
2.27 CHF
1.69 CHF
1.42 CHF
1.32 CHF
Nastrati
1.24 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Scheda dati
1 974A magazzino
Nastro continuo
3.12 CHF
2.04 CHF
1.48 CHF
1.24 CHF
1.15 CHF
Nastrati
1.08 CHF
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000
Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Scheda dati
750A magazzino
5.23 CHF
2.86 CHF
2.62 CHF
2.46 CHF
2.19 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Scheda dati
335A magazzino
4.52 CHF
2.64 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Scheda dati
294A magazzino
3.58 CHF
1.83 CHF
1.65 CHF
1.33 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Scheda dati
187A magazzino
3.02 CHF
1.97 CHF
1.38 CHF
1.15 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH
Scheda dati
85A magazzino
6002.12.2026 previsto
8.27 CHF
4.47 CHF
4.13 CHF
4.07 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Scheda dati
143A magazzino
3.12 CHF
2.04 CHF
1.48 CHF
1.24 CHF
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Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Scheda dati
350A magazzino
3.54 CHF
1.82 CHF
1.64 CHF
1.34 CHF
1.30 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Scheda dati
224A magazzino
3.14 CHF
1.61 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Scheda dati
9A magazzino
10022.01.2027 previsto
5.41 CHF
2.83 CHF
2.63 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ
Scheda dati
20A magazzino
4.91 CHF
3.22 CHF
2.38 CHF
2.11 CHF
1.87 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET Power MOSFET N-Channel
Scheda dati
8A magazzino
6.95 CHF
3.77 CHF
3.46 CHF
3.23 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 3 V 115 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement DTMOSIV Tube

Toshiba MOSFET MOSFET NChtrr130ns 0.08ohm DTMOS
Scheda dati
9A magazzino
7.69 CHF
5.36 CHF
Min: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 80 mOhms 30 V 4.5 V 115 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement DTMOSIV Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR DFN 8x8 PD=240W F=1MHZ
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 16 settimane
Nastrati
2.12 CHF
Min: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000
Si SMD/SMT DFN8x8-5 N-Channel 1 Channel 650 V 27.6 A 140 mOhms 30 V 3 V 90 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement DTMOSIV Reel