MOSFET a canale N in silicio TKx

I MOSFET a canale N in silicio TKx di Toshiba sono disponibili nei tipi U-MOSX-H e DTMOSVI e offrono caratteristiche prestazionali eccezionali. Questi MOSFET sono progettati con tempi di recupero inverso rapidi che migliorano l'efficienza nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità riducendo il ritardo tra gli stati di spegnimento e accensione. La bassa resistenza in conduzione drain-source [RDS(on)] contribuisce a minimizzare le perdite di potenza e a migliorare la gestione termica, rendendoli ideali per applicazioni che richiedono la gestione di alta corrente con bassa dissipazione di energia.

Risultati: 20
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Confezione
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Scheda dati
50A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET
Scheda dati
1 996A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=190W F=1MHZ
Scheda dati
2 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=230W F=1MHZ
Scheda dati
2 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=176W F=1MHZ
Scheda dati
1 997A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=150W F=1MHZ
Scheda dati
1 996A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TOLL PD=130W F=1MHZ
Scheda dati
1 995A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=242W F=1MHZ
Scheda dati
53A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH
Scheda dati
85A magazzino
6025.11.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Scheda dati
350A magazzino
40027.01.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Scheda dati
350A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH
Scheda dati
294A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Scheda dati
224A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH
Scheda dati
187A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Scheda dati
113A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=190W F=1MHZ
Scheda dati
30A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=45W F=1MHZ
Scheda dati
47A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=40W F=1MHZ
Scheda dati
153A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247 PD=176W F=1MHZ
Scheda dati
20A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH
Scheda dati
15A magazzino
35014.08.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube