STDRIVEG211Q

STMicroelectronics
511-STDRIVEG211Q
STDRIVEG211Q

Produttore:

Descrizione:
Driver di porta High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches 220V
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Attributo del prodotto Valore dell'attributo Seleziona attributo
STMicroelectronics
Categoria prodotto: Driver di porta
RoHS::  
Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-18
2 Driver
3 Output
1 A, 2.4 A
3.3 V
20 V
Inverting
22 ns
11 ns
- 40 C
+ 125 C
Tray
Marchio: STMicroelectronics
Kit di sviluppo: EVLSTDRIVEG611
Sensibili all’umidità: Yes
Corrente di alimentazione operativa: 1.02 nA
Tensione di uscita: 220 V
Numero di pin: 18
Tipo di prodotto: Gate Drivers
Ritardo propagazione - Max: 60 ns
Rds On - Drain-source sulla resistenza: 7 Ohms
Spegnimento: Shutdown
Quantità colli di fabbrica: 490
Sottocategoria: PMIC - Power Management ICs
Tecnologia: GaN
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Attributi selezionati: 0

Scheda dati

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Codici di conformità
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99
Classificazioni di origine
Paese di origine:
Thailandia
Paese di origine dell'assemblaggio:
Non disponibile
Paese di diffusione:
Non disponibile
Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG600

Il gate driver a mezzo ponte   STDRIVEG600 di STMicroelectronics è un gate driver a mezzo ponte a chip singolo per eHEMT al GaN (nitruro di gallio) (transistor ad arricchimento ad alta mobilità elettronica) o MOSFET di potenza a canale N. Il lato a monte dell'STDRIVEG600 è progettato per resistere a tensioni fino a 600 V ed è adatto a progetti con tensione di bus fino a 500 V. Questo dispositivo è ideale per il pilotaggio di FET GaN e al silicio ad alta velocità grazie alla sua capacità di corrente elevata, al breve ritardo di propagazione e al funzionamento con una tensione di alimentazione fino a 5 V. 

Driver di porta half-bridge STDRIVEG211

I driver gate a semiponte STDRIVEG211 di STMicroelectronics sono progettati per GaN a modalità di potenziamento a canale N e la sezione driver high-side è in grado di sopportare una tensione di alimentazione fino a 220 V. Questi driver sono caratterizzati da un'elevata capacità di corrente, un breve ritardo di propagazione con un eccellente adattamento del ritardo e LDO integrati. Ciò li rende ottimizzati per la gestione di GaN ad alta velocità. I driver di gate a semiponte STDRIVEG211 sono dotati di UVLO di alimentazione su misura per applicazioni a commutazione rigida, interblocco per evitare condizioni di conduzione incrociata e un comparatore di sovracorrente con SmartSD. Questi driver offrono un intervallo esteso per pin di ingresso che consente un facile collegamento con i controller. Un pin di standby consente di ridurre il consumo energetico durante i periodi di inattività o in modalità burst. Le applicazioni includono microinverter solari, amplificatori audio di classe D, biciclette elettriche, illuminazione a LED, USB-C, utensili elettrici e robotica.

A magazzino: 654

A magazzino:
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Tempo di consegna da parte della fabbrica:
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Minimo: 1   Multipli: 1
Prezzo Unitario:
-.-- CHF
Prezzo esteso:
-.-- CHF
Stima Tariffa:

Prezzi (CHF)

Qtà Prezzo Unitario
Prezzo esteso
2.40 CHF 2.40 CHF
1.80 CHF 18.00 CHF
1.65 CHF 41.25 CHF
1.48 CHF 148.00 CHF
1.40 CHF 350.00 CHF
1.35 CHF 661.50 CHF
1.30 CHF 1 274.00 CHF
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