Infineon Technologies IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs
Die IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen modernste Verarbeitungstechnologien, um einen extrem geringen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil zusammen mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign und der Sperrschichtbetriebstemperaturen von 175°, für die die HEXFET® Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Konstrukteur ein hochwirksames und verlässliches Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
Merkmale
- Advanced process technology
- Ultra low on-resistance
- Dynamic dv/dt rating
- 175°C operating temperature
- Fast switching
- Fully avalanche rated
- Lead-free
Applikationen
- AC-DC
- Appliances
- Audio
- Industrial
- Lighting
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| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Pd - Verlustleistung |
|---|---|---|---|---|
| IRF540NSTRLPBF |  |
33 A | 44 mOhms | 3.8 W |
| IRF540ZPBF | |
36 A | 26.5 mOhms | 92 W |
| IRL540NSTRLPBF | |
36 A | 63 mOhms | 3.8 W |
| IPI086N10N3 G | |
80 A | 8.2 mOhms | 125 W |
Veröffentlichungsdatum: 2014-08-07
| Aktualisiert: 2022-03-11