Infineon Technologies 600V & 1200V TRENCHSTOP IGBTs
Die Infineon 600V und 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs sind eine Kombination aus dem Trenchstop- und Feldstop-Zellenkonzept. Dies führt zu einer wesentlichen Verbesserung der statischen aber auch dynamischen Leistung. Eine Kombination aus IGBTs mit einer Emitter Controlled-Diode mit sanftem Schaltverhalten ermöglicht eine weitere Reduzierung der Ausschaltverluste. Ein Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad.The Infineon Technologies 600V and 1200V Trenchstop™ Performance Series IGBTs are offered in TO-220-3, TO-247-3, TO-252-3, and TO-263-3 packages and are Pb-free and RoHS compliant.
Merkmale
- Better performance: Lower switching losses, lower diode recovery losses
- Low-speed dV/dt switching (<5V/ns), easy design
- 5µs SC rating
- Very low VCEsat
- Low EMI
- Low turn-off losses
- Short tail current
- Cost competitive
- +175°C maximum junction temperature
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Pb-free lead plating
- RoHS compliant
Applikationen
- Uninterruptible power supplies
- Drives
- Solar inverters
- Converters with medium switching frequency
Ressourcen
Veröffentlichungsdatum: 2016-05-23
| Aktualisiert: 2022-03-11
