Infineon Technologies 600V & 1200V TRENCHSTOP IGBTs

Die Infineon 600V und 1200V TRENCHSTOP™ IGBTs sind eine Kombination aus dem Trenchstop- und Feldstop-Zellenkonzept. Dies führt zu einer wesentlichen Verbesserung der statischen aber auch dynamischen Leistung. Eine Kombination aus IGBTs mit einer Emitter Controlled-Diode mit sanftem Schaltverhalten ermöglicht eine weitere Reduzierung der Ausschaltverluste. Ein Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad.

The Infineon Technologies 600V and 1200V Trenchstop™ Performance Series IGBTs are offered in TO-220-3, TO-247-3, TO-252-3, and TO-263-3 packages and are Pb-free and RoHS compliant.

Merkmale

  • Better performance: Lower switching losses, lower diode recovery losses
  • Low-speed dV/dt switching (<5V/ns), easy design
  • 5µs SC rating
  • Very low VCEsat
  • Low EMI
  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Cost competitive
  • +175°C maximum junction temperature
  • Qualified according to JEDEC for target applications
  • Pb-free lead plating
  • RoHS compliant

Applikationen

  • Uninterruptible power supplies
  • Drives
  • Solar inverters
  • Converters with medium switching frequency
Veröffentlichungsdatum: 2016-05-23 | Aktualisiert: 2022-03-11