Infineon Technologies IRS2007 200-V-Halbbrücken-Treiber

Die IRS2007 200-V-Halbbrückentreiber von Infineon Technologies sind Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET-Treiber mit abhängigen High- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietären HVIC- und Latch-beständigen CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Bauweise. Der Logikschaltungseingang ist mit dem Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang bis hinunter zu einer Logikschaltung von 3,3 V kompatibel.Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, die für eine minimale Treiberüberleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration mit einem Betrieb von bis zu 200 V anzusteuern. Ausbreitungsverzögerungen sind angepasst, um die Verwendung des HVIC in Hochfrequenz-Applikationen zu ermöglichen.

Merkmale

  • IO+/IO- von 290 mA/600 mA Gate-Strom (typisch)
  • Gate-Treiber-Spannung bis zu 20 V pro Kanal
  • Unabhängige Unterspannungssperre für VCC, VBS
  • 3,3 V, 5 V und 15 V Logik-kompatibler Eingang
  • Tolerant gegenüber negativer Transientenspannung
  • Für die Verwendung mit Bootstrap-Netzteilen ausgelegt
  • Schutzlogikschaltung gegen Querstrom
  • Angepasste Ausbreitungsverzögerungen für beide Kanäle
  • Intern eingestellte Totzeit
  • High-Side-Ausgang phasengleich mit dem HIN-Eingang
  • Low-Side-Ausgang phasenverschoben mit LIN-Eingang
  • Betriebsbereich von -40 °C bis 125 °C
  • 2 kV HBM-ESD
  • RoHS-konform

Applikationen

  • Batteriebetriebene Elektrowerkzeuge
  • Batteriebetriebene Gartengeräte
  • Leichte Elektrofahrzeuge (E-Bikes, E-Scooter, E-Spielzeug)
  • Kabelloses Laden
  • Weitere allgemeine batteriebetriebene Applikationen

Typischer Anschlussplan

Infineon Technologies IRS2007 200-V-Halbbrücken-Treiber
Veröffentlichungsdatum: 2018-10-16 | Aktualisiert: 2024-01-12