Infineon Technologies IRS2007 200-V-Halbbrücken-Treiber
Die IRS2007 200-V-Halbbrückentreiber von Infineon Technologies sind Hochspannungs-, Hochgeschwindigkeits-Leistungs-MOSFET-Treiber mit abhängigen High- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Die proprietären HVIC- und Latch-beständigen CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Bauweise. Der Logikschaltungseingang ist mit dem Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang bis hinunter zu einer Logikschaltung von 3,3 V kompatibel.Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe für hohe Impulsströme, die für eine minimale Treiberüberleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der High-Side-Konfiguration mit einem Betrieb von bis zu 200 V anzusteuern. Ausbreitungsverzögerungen sind angepasst, um die Verwendung des HVIC in Hochfrequenz-Applikationen zu ermöglichen.Merkmale
- IO+/IO- von 290 mA/600 mA Gate-Strom (typisch)
- Gate-Treiber-Spannung bis zu 20 V pro Kanal
- Unabhängige Unterspannungssperre für VCC, VBS
- 3,3 V, 5 V und 15 V Logik-kompatibler Eingang
- Tolerant gegenüber negativer Transientenspannung
- Für die Verwendung mit Bootstrap-Netzteilen ausgelegt
- Schutzlogikschaltung gegen Querstrom
- Angepasste Ausbreitungsverzögerungen für beide Kanäle
- Intern eingestellte Totzeit
- High-Side-Ausgang phasengleich mit dem HIN-Eingang
- Low-Side-Ausgang phasenverschoben mit LIN-Eingang
- Betriebsbereich von -40 °C bis 125 °C
- 2 kV HBM-ESD
- RoHS-konform
Applikationen
- Batteriebetriebene Elektrowerkzeuge
- Batteriebetriebene Gartengeräte
- Leichte Elektrofahrzeuge (E-Bikes, E-Scooter, E-Spielzeug)
- Kabelloses Laden
- Weitere allgemeine batteriebetriebene Applikationen
Typischer Anschlussplan
Veröffentlichungsdatum: 2018-10-16
| Aktualisiert: 2024-01-12
