Infineon Technologies CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil

Das Infineon Technologies CoolMOS™ S7A 600-V-SJ-Leistungsbauteil ist ein Hochspannungs-Leistungs-MOSFET, der als statischer Schalter ausgelegt ist. Das Bauteil ist gemäß dem Superjunctionprinzip (SJ) von Infineon Technologies ausgelegt. Das Bauteil kombiniert die Erfahrungswerte des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation für einen niedrigenRDS(on) in einem QDPAK-Gehäuse. Die S7A-Baureihe ist für Niederfrequenzschaltungen und Hochstrom-Applikationen, wie z. B. Leistungsschalter, optimiert.

Merkmale

  • Optimiert für niedrige Schaltfrequenz in High-End-Applikationen (Leistungsschalter und Dioden-Parallelschaltung/-Ersatz in Brückengleichrichtern)
  • Die S7A-Technologie ermöglicht einen erstklassigen RDS(on) auf kleinstem Footprint
  • Kelvin-Source-Pin verbessert die Schaltleistung bei hohen Strömen
  • Das QDPAK-GEHÄUSE (PG-HDSOP-22-1) ist MSL1-konform, vollständig bleifrei und ermöglicht eine einfache Sichtprüfung der Leitungen

Applikationen

  • Leistungsschalter (HV-Batterie-Trennschalter, DC- und AC-Niederfrequenz-Schalter, HVE-Sicherung)
  • Dioden-Parallelschaltung/-ersatz für Hochleistungs-/Leistungsapplikationen
Veröffentlichungsdatum: 2021-01-19 | Aktualisiert: 2023-05-18