Infineon Technologies Fx3L50R07W2H3FB11 EasyPACK™ IGBT-Module

Infineon Technologies Fx3L50R07W2H3FB11 EasyPACK™ Isolierte Gate-Bipolartransistor(IGBT)-Module sind 650-V-, 50-A-/100-A- und Dreistufen-Module mit CoolSiC™ Schottky-Diode und PressFIT-Kontakttechnologie. Diese Module bieten eine hohe Stromdichte mit niedrigen Schaltverlusten und sind für eine benutzerdefinierte Entwicklungszykluszeit und Kosten optimiert. Die Fx3L50R07W2H3FB11 Module verfügen über ein Al₂O₃ -Substrat mit niedrigem thermischen Widerstand, ein kompaktes Design und eine robuste Montage mit integrierten Montageklemmen. Zu den typischen Applikationen gehören Motorantriebe, Solarapplikationen, Dreistufen-Applikationen und USV-Systeme.