Infineon Technologies CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren
Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.Merkmale
- 650 V GaN-Transistor
- Hauseigenes, leistungsstarkes 8"-Gießverfahren
- Verstärkungsmodus (E-Mode)
- Integrierte Leistungsstufen
- Ultraschnelle Schaltgeschwindigkeit
- Keine Reverse-Recovery-Ladung
- Fähigkeit zur Rückwärtsleitung
- Niedrige Gate- und Ausgangsladung
- Überlegene Kommutierungsrobustheit
- Normally-OFF-Transistortechnologie gewährleistet sicheren Betrieb
- Ermöglicht eine schnelle und präzise Steuerung der Leistungsabgabe
- Verbessert die Systemeffizienz und Zuverlässigkeit
- Gewährleistet eine robuste Leistung unter schwierigen Bedingungen
- ESD JEDEC-Norm
- 2 kV HBM ESD-Schutz
- Bleifrei, halogenfrei, RoHS-konform
Applikationen
- Unterhaltungselektronik
- Rechenzentren
- Industrieapplikationen
- USB-C-Adapter/Ladegeräte
- Stromverteilung
- Server
- Telekommunikation
- Solar-/Energiespeichersysteme
- SMPS
Applikations-Schaltungsdiagramm
Infografik
View Results ( 14 ) Page
| Teilnummer | Datenblatt | Id - Drain-Gleichstrom | Rds On - Drain-Source-Widerstand | Qg - Gate-Ladung |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 | ![]() |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | ![]() |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | ![]() |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | ![]() |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | ![]() |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | ![]() |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
Veröffentlichungsdatum: 2024-08-02
| Aktualisiert: 2025-09-26

