Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT
Der Infineon Technologies AIKQ200N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT ist in einem TO247PLUS-Gehäuse untergebracht und für Hauptwechselrichtersysteme ausgelegt. Die 750-V-EDT2-Spitzentechnologie verbessert die Energieeffizienz für Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen erheblich. Dadurch werden Batteriespannungen von bis zu 470 V und ein sicheres schnelles Schalten durch erhöhte Überspannungsmargen ermöglicht. Dieses TO-247PLUS-Gehäuse mit hoher Kriechstrecke erfüllt die Anforderungen von Hochspannungs-Fahrzeuganwendungen von bis zu 470 V Vdc. Als weit verbreitetes Gehäuse im diskreten Wechselrichtersystem-Design bietet dieses Gehäuse eine hohe Kompatibilität, um ältere Bauteile in bestehenden Wechselrichterdesigns zu ersetzen.
Merkmale
- VCE = 750 V
- Kollektor-Emitter-Sperrspannungsfähigkeit von 750 V
- Weiche Schalteigenschaften
- Sehr niedrige VCE (sat), 1,40 V bei ICnom = 200 A
- Kurzschlussfest
- Sehr enge Parameterverteilung
- Niedrige Gate-Ladung QG
- Zusammen mit einer schnellen, weichen Emitter-gesteuerten 3-Diode
- Gemäß AEC-Q101 qualifiziert
- Erhöht die Überspannungsmarge in der Applikation
- Reduzierung der Anzahl parallelgeschalteter Geräte erforderlich
- Einfaches Gate-Drive-Design
- Selbstbegrenzender Strom unter Kurzschlussbedingungen
- Niedrige EMI-Signatur
- Hohe Zuverlässigkeit und Lebensdauer
Applikationen
- xEV-Wechselrichter
- Motorantrieb
Verwandte Produkte
Infineon Technologies AIKQ120N75CP2 Duo-Pack-EDT2™-IGBT
Verfügt über eine Kollektor-Emitter-Sperrspannungsbelastbarkeit von 750 V.
Infineon Technologies EDT2 Diskrete 750-V-IGBTs
IGBTs mit höherer Durchschlagspannung und höherer Stromdichte in TO-247PLUS-Gehäusen ohne Delamination.
Veröffentlichungsdatum: 2022-02-17
| Aktualisiert: 2023-08-08