Infineon Technologies Rauscharme 4G-/5G-Verstärker
Infineon Technologies Rauscharme 4G-/5G-Verstärker sind für LTE und 5G ausgelegt und decken einen großen Frequenzbereich ab. Die Gain-Stufe der rauscharmen 4G-/5G-Verstärker verfügt über die Gain und Linearität, die angepasst werden kann, um den dynamischen Systembereich zu erhöhen und wechselnde Interferenz-Szenarien zu ermöglichen.
Die rauscharmen 4G-/5G-Verstärker von Infineon Technologies unterstützen einen extrem niedrigen Bypass-Strom von 2 µA und eine Betriebsspannung von 1,2 V zur Reduzierung des Stromverbrauchs. Die Bauteile arbeiten mit einer Versorgungsspannung von 1,1 V bis 2,0 V über Temperatur.
Die Verstärker sind in einem kompakten 9-Pin-TSNP-9-Gehäuse mit Abmessungen von 1,1 mm x 1,1 mm untergebracht und sparen Platz auf der PCB.
Merkmale
- Hohe Linearität
- Erstklassiger Rauschfaktor
- Geringe Stromaufnahme
- Versorgungsspannung: 1,5 V bis 3,3 V
- Extrem klein
- Einzelne LNAs: Unbedrahtetes TSNP-6-2-Gehäuse (Footprint: 1,1 mm x 0,7 mm2)
- Quad-LNA-Bänke: Unbedrahtetes TSLP-12-4-Gehäuse (Footprint: 1,1 x 1,9 mm2)
- B7HF Silizium-Germanium-Kohlenstoff-Technologie (SiGe: C)
- HF-Ausgang intern an 50 Ω angepasst
- Geringe Anzahl externer Komponenten
- ESD-Schutz: 2 kV HBM
- Bleifreies (RoHS-konformes) Gehäuse
Applikationen
- Smartphones
- Tablets
- Datenkarten
- M2M-Kommunikation
Blockdiagramm
MIPI-zu-HF-Zeit
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| Teilnummer | Datenblatt | Betriebsfrequenz | P1dB - Kompressionspunkt |
|---|---|---|---|
| BGA9H1MN9E6329XTSA1 |  |
1.4 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
| BGM787U50E6327XUMA1 | |
600 MHz to 2.7 GHz | |
| BGA9H1BN6E6327XTSA1 | |
2.3 GHz to 2.7 GHz | - 17 dBm |
| BGA9C1MN9E6327XTSA1 | |
4.4 GHz to 5 GHz | - 19 dBm |
| BGA9V1MN9E6327XTSA1 | |
3.3 GHz to 4.2 GHz | - 18 dBm |
Veröffentlichungsdatum: 2021-04-13
| Aktualisiert: 2025-07-29