Microchip Technology MOSFET SIC 1 200 V

Les MOSFET SIC 1 200 V de Microchip éliminent le besoin d'une diode roue libre externe et offrent une robustesse avalanche supérieure dans une diode de corps rapide et fiable.

Le boîtier Notch TO-247-4 permet des conceptions efficaces et à haute puissance avec des performances thermiques améliorées et des effets parasites réduits. Sa configuration à quatre broches comprend une source Kelvin pour réduire les parasites de grille et les pertes de commutation, tandis que la conception Notch améliore la ligne de fuite pour une fiabilité à haute tension améliorée.

Le boîtier QDPAK est une solution compacte à montage en surface refroidie par le dessus, conçue pour maximiser les avantages de performance des dispositifs en carbure de silicium dans les applications haute puissance. Il permet d'établir un chemin thermique direct entre le dispositif et un dissipateur thermique externe, ce qui dissocie la dissipation thermique du circuit imprimé et améliore les performances thermiques, la densité de puissance et la flexibilité de l'agencement. Le boîtier réduit également l’inductance parasite, prend en charge le changement rapide et simplifie l’assemblage automatisé, tandis que son empreinte standard émergente dans l’industrie permet des conceptions évolutives et multi-sources et réduit la complexité du système.