Microchip Technology 1200 V SIC-MOSFETs

Die 1200 V SIC-MOSFETs von Microchip kommen ohne externe Freilaufdiode aus und bieten eine überlegene Avalanche-Festigkeit in einer schnellen und zuverlässigen Body-Diode.

Das TO-247-4-Notch-Gehäuse ermöglicht effiziente, leistungsstarke Designs mit verbesserter thermischer Leistung und reduzierten parasitären Effekten. Das Vier-Anschluss-Layout beinhaltet eine Kelvin-Quelle zur Reduzierung von Gate-Überschwingen und Schaltverlusten, während die Notch-Bauweise die Kriechstrecke vergrößert und so die Hochspannungszuverlässigkeit verbessert.

Das QDPAK-Gehäuse ist eine kompakte, oberflächenmontierbare Lösung mit oberseitiger Kühlung, die entwickelt wurde, um die Leistungsvorteile von Siliziumkarbid-Bauelementen (SiC) in Hochleistungsapplikationen zu maximieren. Es ermöglicht einen direkten Wärmepfad vom Bauteil zu einem externen Kühlkörper, wodurch die Wärmeableitung von der PCB entkoppelt und die thermische Leistung, die Leistungsdichte sowie die Layout-Flexibilität verbessert werden. Darüber hinaus reduziert das Gehäuse parasitäre Induktivitäten, unterstützt schnelles Schalten und vereinfacht die automatische Bestückung, während seine Etablierung als neuer Industriestandard skalierbare Multi-Source-Designs ermöglicht und die Systemkomplexität reduziert.