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IS41LV16256C-35TLI

ISSI

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N. Mouser:

870-S41LV16256C35TLI

N. produttore:

IS41LV16256C-35TLI

Produttore:

ISSI

Descrizione:

DRAM 4M,3.3V EDO DRAM Async,256Kx16,35ns

Ciclo di vita:

NRND:

Non consigliato per nuovi progetti.

Scheda dati:

IS41LV16256C-35TLI Scheda dati (PDF)

Modello ECAD:

Scarica il Library Loader, uno strumento gratuito che consente di convertire questo file per il tuo strumento ECAD. Maggiori informazioni sul modello ECAD.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attributo del prodotto	Valore dell'attributo	Seleziona attributo
Produttore:	ISSI
Categoria prodotto:	DRAM
RoHS::
Tipo:	EDO DRAM
Dimensioni memoria:	4 Mbit
Larghezza bus dati:	16 bit
Package/involucro:	TSOP-II-40
Organizzazione:	256 k x 16
Tempo di accesso:	35 ns
Tensione di alimentazione - Min.:	3 V
Tensione di alimentazione - Max.:	3.6 V
Temperatura di lavoro minima:	- 40 C
Temperatura di lavoro massima:	+ 85 C
Serie:	IS41LV16256C
Confezione:	Tray
Marchio:	ISSI
Sensibili all’umidità:	Yes
Stile di montaggio:	SMD/SMT
Tipo di prodotto:	DRAM
Quantità colli di fabbrica:	135
Sottocategoria:	Memory & Data Storage
Corrente di alimentazione - Max:	90 mA

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Scheda dati

IS41LV16256C-35TLI Scheda dati (PDF)

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Codici di conformità

CNHTS:: 8542319090
USHTS:: 8542320002
JPHTS:: 854232021
KRHTS:: 8542321010
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Classificazioni di origine

Paese di origine:: Taiwan
Paese di origine dell'assemblaggio:: Non disponibile
Paese di diffusione:: Taiwan

Il paese è soggetto a variazioni al momento della spedizione.

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Qtà	Prezzo Unitario	Prezzo esteso
	5.14 CHF	5.14 CHF
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	4.64 CHF	116.00 CHF
	4.43 CHF	221.50 CHF
	4.32 CHF	432.00 CHF