MOSFET Trench SiC G1 750 V per il settore automotive CoolSiC™

I MOSFET Trench SiC G1 750 V CoolSiC™ per il settore automotivo di Infineon Technologies aiutano i produttori di veicoli elettrici a creare caricatori di bordo bidirezionali da 11 kW e 22 kW con maggiore efficienza densità di potenza e affidabilità. Questi dispositivi funzionano in modo affidabile ad alte temperature (Tj, max +175 °C), grazie alla tecnologia proprietaria di Infineon. Tecnologia di fissaggio dei die XT per la migliore impedenza termica della categoria a parità di dimensioni dei die.

Tipi di Transistor
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Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Tipo di prodotto
Tecnologia
Stile di montaggio
Package/involucro
Polarità transistor
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
720A magazzino
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MOSFETs SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
281A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
226A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
181A magazzino
Min: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
288A magazzino
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
24025.03.2027 previsto
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
Scheda dati
Tempo di consegna 52 settimane
Min: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET SiC AUTOMOTIVE_SICMOS
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Tempo di consegna 52 settimane
Min: 1
Mult.: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel