Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes

Advanced Photonix Planar Diffused Structure UV-Enhanced Photodiodes are engineered to deliver exceptional sensitivity, stability, and durability in ultraviolet detection applications. Built using a proprietary diffusion process, these devices achieve enhanced quantum efficiency in the UV spectrum while maintaining low noise levels and excellent linearity. Whether integrated into analytical instruments, environmental monitoring systems, or industrial sensing platforms, these photodiodes provide reliable, consistent performance.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Verpackung/Gehäuse
Montageart
Maximum-Wellenlänge
Vr - Sperrspannung
Anstiegszeit
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Advanced Photonix Fotodioden 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 34mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Datenblatt
20Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 5.7mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 5.7mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 13mm sq UV Si Photodiode TO-5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 980 nm 5 V 0.5 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 13mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes TO-5-5 Through Hole 720 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 34mm sq UV Si Photodiode TO-5
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 980 nm 5 V 1 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes TO-8-6 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 34mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 2 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 100mm sq UV Si Photodiode bNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 100mm sq UV Si Photodiode Ceramic
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 980 nm 5 V 3 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25

Photodiodes BNC-11 Connector 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C
Advanced Photonix Fotodioden 100mm sq IR Suppressed UV Si PIN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

Photodiodes Ceramic-25 Through Hole 720 nm 5 V 7 us - 20 C + 60 C