MOSFET à tranchée SIC CoolSiC™ 1200 V

Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC™ 1 200 V d'Infineon Technologies combinent les caractéristiques physiques solides du carbure de silicium avec des caractéristiques uniques qui augmentent les performances, la robustesse et la facilité d’utilisation du composant.  Les MOSFET à tranchée SiC CoolSiC 1 200 V s’appuient sur un processus de semi-conducteur à tranchée de pointe optimisé pour fournir les pertes d’application les plus faibles et la plus haute fiabilité de fonctionnement.  Adaptés aux opérations à haute température et en environnement difficile, ces composants permettent le déploiement simplifié et économique du plus haut rendement du système.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
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Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
1 212En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package
Fiche technique
635En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
368En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2
Fiche technique
961En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
571En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
747En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
269En stock
48018.08.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
375En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
697En stock
72020.05.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
2 478En stock
2 16020.08.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
597En stock
24004.02.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package
Fiche technique
603En stock
Min. : 1
Mult. : 1

MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
48010.09.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
20En stock
2 640Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
147En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
15En stock
96027.08.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
43En stock
1 920Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package
Fiche technique
297En stock
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
2 160Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
2 877Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
Fiche technique
701Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
960Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
Fiche technique
741Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel