SiC MOSFET – Mouser Suisse

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MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS affichent une tension de blocage élevée avec une faible résistance à l'état passant [R_DS(ON)]. La résistance à l'état passant est comprise entre 25 mΩ et 160 mΩ, et le courant de drain continu (I_D) est compris entre 20 A et 111 A. Ces composants assurent une commutation à haute vitesse avec une faible capacité et sont dotés d'une diode intrinsèque ultra-rapide. Ils sont disponibles avec une tension drain-source (V_DSS) de 650 V ou 1200 V. Les MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx d'IXYS sont proposés dans trois boîtiers (TO-263-7L, TOLL-8 et TO-247-4L).

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Id - Courant continu de fuite

Rds On - Résistance drain-source

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Référence

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

IXSA65N120L2-7TR
IXYS
1: 9.54 CHF
815En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSA65N120L2-7TR

Référence Mouser
747-IXSA65N120L2-7TR

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO-263-7L

Fiche technique

815En stock

Bande coupée

9.54 CHF

6.75 CHF

5.62 CHF

5.12 CHF

Bobine

4.68 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

53 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

417 W

Enhancement

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH65N120L2KHV
IXYS
1: 9.75 CHF
537En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSH65N120L2KHV

Référence Mouser
747-IXSH65N120L2KHV

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Fiche technique

537En stock

Bande coupée

9.75 CHF

6.94 CHF

5.14 CHF

Bobine

5.04 CHF

4.88 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 450

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

65 A

52 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

110 nC

- 55 C

+ 175 C

375 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA110N65L2-7TR
IXYS
1: 10.29 CHF
900En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSA110N65L2-7TR

Référence Mouser
747-IXSA110N65L2-7TR

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TO263-7L

Fiche technique

900En stock

Bande coupée

10.29 CHF

5.83 CHF

5.75 CHF

5.45 CHF

Bobine

5.45 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7L

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

IXSG110N65L2K
IXYS
1: 10.29 CHF
2 090En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSG110N65L2K

Référence Mouser
747-IXSG110N65L2K

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (110A a. 25C) SiC MOSFET in TOLL

Fiche technique

2 090En stock

Bande coupée

10.29 CHF

5.83 CHF

5.75 CHF

5.38 CHF

Bobine

5.38 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

111 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

IXSH100N65L2KHV
IXYS
1: 10.58 CHF
550En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSH100N65L2KHV

Référence Mouser
747-IXSH100N65L2KHV

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

Fiche technique

550En stock

10.58 CHF

7.38 CHF

5.58 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

TO-247-4L

N-Channel

1 Channel

650 V

99 A

33 mOhms

- 5 V, + 20 V

4.5 V

125 nC

- 55 C

+ 175 C

454 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263

IXSA20N120L2-7TR
IXYS
1: 6.20 CHF
894En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSA20N120L2-7TR

Référence Mouser
747-IXSA20N120L2-7TR

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263

Fiche technique

894En stock

Bande coupée

6.20 CHF

4.20 CHF

3.06 CHF

Bobine

2.76 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA40N65L2-7TR
IXYS
1: 7.07 CHF
890En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSA40N65L2-7TR

Référence Mouser
747-IXSA40N65L2-7TR

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Fiche technique

890En stock

Bande coupée

7.07 CHF

4.83 CHF

3.55 CHF

Bobine

3.29 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

IXSA60N65L2-7TR
IXYS
1: 8.57 CHF
900En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSA60N65L2-7TR

Référence Mouser
747-IXSA60N65L2-7TR

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO263-7L

Fiche technique

900En stock

Bande coupée

8.57 CHF

5.90 CHF

4.53 CHF

Bobine

4.23 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 800

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

IXSG40N65L2K
IXYS
1: 7.00 CHF
2 095En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSG40N65L2K

Référence Mouser
747-IXSG40N65L2K

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

Fiche technique

2 095En stock

Bande coupée

7.00 CHF

3.82 CHF

3.50 CHF

3.47 CHF

3.28 CHF

Bobine

3.28 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 2 000

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

IXSG60N65L2K
IXYS
1: 8.46 CHF
2 090En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSG60N65L2K

Référence Mouser
747-IXSG60N65L2K

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TOLL

Fiche technique

2 090En stock

Bande coupée

8.46 CHF

4.70 CHF

4.45 CHF

4.22 CHF

Bobine

4.22 CHF

MouseReel disponible

Min. : 1
Mult. : 1

: 2 000

SMD/SMT

TTOLL-8

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A

IXSH20N120L2KHV
IXYS
1: 5.90 CHF
546En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSH20N120L2KHV

Référence Mouser
747-IXSH20N120L2KHV

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET TO247 1200V N CH 20A

Fiche technique

546En stock

Bande coupée

5.90 CHF

3.16 CHF

2.58 CHF

Bobine

2.58 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

: 450

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

20 A

208 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

29 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH40N65L2KHV
IXYS
1: 7.18 CHF
550En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSH40N65L2KHV

Référence Mouser
747-IXSH40N65L2KHV

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

Fiche technique

550En stock

7.18 CHF

3.93 CHF

3.40 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

43 A

78 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

174 W

Enhancement

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

IXSH60N65L2KHV
IXYS
1: 8.63 CHF
550En stock
Nouveau produit

Fab. Numéro de référence
IXSH60N65L2KHV

Référence Mouser
747-IXSH60N65L2KHV

Nouveau produit

IXYS

SiC MOSFET SiC MOSFET in TO247-4L HV

Fiche technique

550En stock

8.63 CHF

5.95 CHF

4.32 CHF

Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

60 A

53 mOhms

- 5 V, 20 V

4.5 V

94.7 nC

- 55 C

+ 175 C

249 W

Enhancement

MOSFET au carbure de silicium (SiC) IXSxNxL2Kx

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