NVBG050N170M1 Siliciumcarbid-MOSFET (SiC)

Der Siliciumcarbid-MOSFET von onsemi NVBG050N170M1 ist Teil der planaren SiC-MOSFET-Produktfamilie mit 1700 V M1, die für Schnellschaltungs-Applikationen optimiert ist. Dieses MOSFET verfügt über ein maximales RDS(ON) von 76 mΩ bei 20 V, eine Drain-Source-Spannung von1700 V, einen Dauersenkenstrom von 50 A und eine extrem niedrige Gate-Ladung (typischQG(tot) = 107 nC). Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET arbeitet mit geringer effektiver Ausgangskapazität (typisch Coss = 97 pF) und einer Gate-Source-Spannung von -15 V/+25 V. Dieser SiC-MOSFET ist 100 %-avalanche-getestet und in einem D2PAK-7L-Gehäuse erhältlich. Der NVBG050N170M1 SiC-MOSFET ist bleifrei (2LI), halogenfrei und RoHs-konform mit Ausnahme von 7a. Typische Applikationen umfassen einen Sperrwandler, einen DC/DC-Wandler für EVs/HEVs und On-Board-Ladegeräte (OBCs) für Fahrzeuge.

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