Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

Le applicazioni di infrastruttura energetica come ricarica di veicoli elettrici, accumulo di energia, sistemi di continuità (UPS) e solare stanno spingendo i livelli di potenza del sistema a centinaia di kilowatt e persino megawatt. Queste applicazioni ad alta potenza impiegano topologie a semiponte, ponte completo e trifase con cicli di lavoro fino a sei interruttori per inverter e BLDC. A seconda del livello di potenza e delle velocità di commutazione, i progettisti di sistemi considerano varie tecnologie di commutazione, tra cui silicio, IGBT e SIC, per adattarsi al meglio ai requisiti applicativi.

Tipi di Semiconduttori

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Risultati: 95
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947A magazzino
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Max.: 20
: 800


onsemi MOSFET SiC 20MW 1200V 893A magazzino
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onsemi Gate driver isolati galvanicamente DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13 970A magazzino
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: 1 000

onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V 3 296A magazzino
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: 800
onsemi Gate driver isolati galvanicamente 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1 220A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000


onsemi Gate driver isolati galvanicamente IGBT gate driver 21 219A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000


onsemi Gate driver isolati galvanicamente IGBT gate driver 7 982A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1 385A magazzino
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Max.: 30


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2 423A magazzino
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Mult.: 1


onsemi Driver di porta ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 18 915A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000

onsemi Gate driver isolati galvanicamente DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13 951A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000

onsemi Gate driver isolati galvanicamente GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 3 255A magazzino
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Mult.: 1
Max.: 20
: 1 000

onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1 930A magazzino
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Mult.: 1
: 800


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1 853A magazzino
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Mult.: 1



onsemi Gate driver isolati galvanicamente ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 738A magazzino
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: 1 000


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1 046A magazzino
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Mult.: 1
Max.: 30

onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1 930A magazzino
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Mult.: 1
: 800

onsemi Gate driver isolati galvanicamente ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1 143A magazzino
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Mult.: 1
: 1 000


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V 1 589A magazzino
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Mult.: 1


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V 400A magazzino
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onsemi MOSFET SiC SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314A magazzino
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Mult.: 1


onsemi Driver di porta ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 1 274A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 1 000

onsemi MOSFET SiC SIC MOS 20MOHM 900V 1 859A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 1 752A magazzino
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Mult.: 1


onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V 509A magazzino
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