Diodi di potenza Schottky in carburo di silicio

I diodi di potenza Schottky in carburo di silicio (SiC) di Vishay Semiconductors sono raddrizzatori avanzati e ad alte prestazioni progettati per offrire efficienza, robustezza e affidabilità eccezionali nelle applicazioni di elettronica di potenza più esigenti. Costruiti sulla tecnologia SiC a banda larga, questi diodi Vishay offrono una carica di recupero praticamente nulla, una capacità di commutazione estremamente veloce e prestazioni invariate dalla temperatura, rendendo i dispositivi ideali per i sistemi di conversione di potenza ad alta frequenza di nuova generazione.

Risultati: 45
Seleziona Immagine Codice
 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Configurazione
If - Corrente diretta
Vrrm - Tensione inversa ripetitiva
Vf - Tensione diretta
Ifsm - Sovracorrente diretta
Ir - Corrente inversa
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Vr - Tensione inversa
Serie
Confezione
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
990A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
560A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
970A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 12 A 650 V 1.3 V 72 A 84 uA -55 C + 175 C 650 V VS-4C12ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
548A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
812A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
475A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Single 30 A 650 V 1,33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30E3P07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
588A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
584A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
940A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1 000A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 SIngle 30 A 650 V 1.33 V 180 A 125 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C30ET07THM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
432A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
475A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C40CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
568A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
636A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 6 A 650 V 1.3 V 39 A 35 uA - 55 C + 175 C 650 V 4C06ET07S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
460A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2473L
Scheda dati
455A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-3 Common Cathode 10 A 650 V 1.3 V 60 A 50 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20CP07LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
464A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 20 A 650 V 1.33 V 125 A 110 uA - 55 C + 175 C 650 V VS-4C20ET07S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50008.02.2027 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 10 A 1.2 kV 1.34 V 50 A 162 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C10EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
49023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12L-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2472L
Scheda dati
50023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247AD-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15EP12LHM3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
80023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2L-M3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SiCG4D2PAK2L
Scheda dati
80023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT TO-263AB-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12S2LHM3 Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
99023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12T-M3 Tube
Vishay Semiconductors Diodi Schottky SiC SicG4TO-2202L
Scheda dati
1 00023.10.2026 previsto
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-220AC-2 Single 15 A 1.2 kV 1.36 V 75 A 200 uA - 55 C + 175 C 1.2 kV VS-4C15ET12THM3 Tube