IGBT a 650 V field-stop trench-gate serie HB

Gli IGBT a 650 V field-stop trench-gate STMicroelectronics Serie HB sono stati sviluppati utilizzando un processo proprietario e ottimizzato di field-stop trench-gate. Questi dispositivi rappresentano un ottimo compromesso tra perdite di conduzione e commutazione per massimizzare l'efficienza di qualsiasi convertitore di frequenza. Grazie all'avanzata tecnologia Trench-Gate Field-Stop ad alta velocità, questi IGBT offrono una corrente collettore in stato spento senza strascico, tensione di saturazione (Vce(sat)) di soli 1,6 V (tipica), riducendo al minimo le perdite di energia durante l'accensione e quando acceso. Inoltre, un coefficiente della temperatura VCE (sat) leggermente positivo e molto ristretto permette di ottenere una distribuzione dei parametri in funzione parallela più sicura.
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Polarità transistor
STMicroelectronics MOSFET SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV pac
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2 309A magazzino
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: 3 000

SiC MOSFETS SMD/SMT PowerFLAT-5 N-Channel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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783A magazzino
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: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
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762A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
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561A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole
STMicroelectronics IGBTs Trench gate H series 650V 80A HiSpd
Scheda dati
320A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT
Scheda dati
220A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A
Scheda dati
3 148A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 40 A high speed
Scheda dati
238A magazzino
1 00025.09.2026 previsto
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: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT D2PAK-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT
Scheda dati
574A magazzino
Min: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 40A trench gate field-stop IGBT
Scheda dati
960A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 60A trench gate field-stop IGBT
Scheda dati
138A magazzino
1 80027.08.2026 previsto
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Scheda dati
690A magazzino
60013.11.2026 previsto
Min: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Scheda dati
493A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed
Scheda dati
19A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT
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364A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A HSpd trench gate field-stop IGBT
Scheda dati
42A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3P
STMicroelectronics IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT
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1 98429.01.2027 previsto
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: 1 000

IGBT Transistors Si SMD/SMT H2PAK-2
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
Scheda dati
1 20025.09.2026 previsto
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
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280A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-3PF
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pa
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42A magazzino
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
STMicroelectronics IGBTs 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT
Scheda dati
60021.09.2026 previsto
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Scheda dati
1 20009.10.2026 previsto
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs 650V 60A Trench Gate Field-Stop IGBT
Scheda dati
Tempo di consegna 22 settimane
Min: 1
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IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high-speed HB series IGBT
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 22 settimane
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Mult.: 600

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3