MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V

Les MOSFET de puissance CoolMOS™ CM8 650 V d’Infineon Technologies sont conçus selon le principe Superjunction (SJ) pour offrir de faibles pertes de commutation et de conduction. Ces MOSFET sont adaptés aux topologies de commutation dure et douce en raison de la robustesse de commutation des dispositifs. Les MOSFET CoolMOS™ CM8 650 V dispose d’une conception rapide grâce à une faible tendance à la sonnerie et à une utilisation sur les étages PFC et MLI. Ces MOSFET permettent une gestion thermique simplifiée grâce à une technique avancée d’assemblage de la puce. Les MOSFET CoolMOS™ CM8 650 V sont conforme à la directive RoHS et entièrement qualifiés selon les normes JEDEC pour les applications industrielles. Les applications typiques incluent les convertisseurs résonnant LLC, les serveurs d’IA, les alimentations électriques de télécommunications et les centres de données.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (CHF) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
639En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
663En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
785En stock
2 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
1 429En stock
96001.04.2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
298En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
155En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
323En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
516En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
166En stock
48025.08.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
2 23503.09.2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
2 00004.03.2027 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Fiche technique
3 496Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape