MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 650 V

I MOSFET onsemi a 650V al carburo di silicio (SiC) offrono prestazioni di commutazione superiori e maggiore affidabilità rispetto al silicio (Si). Questi MOSFET SiC da 650 V presentano una bassa resistenza di accensione e una dimensione compatta del chip per garantire una bassa capacità e carica di gate. I vantaggi includono un'elevata efficienza, una rapida frequenza di funzionamento, una maggiore densità di potenza, una riduzione delle EMI e una riduzione delle dimensioni del sistema.

Risultati: 29
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 Produttore
Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (CHF) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità.
Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Numero di canali
Vds - Tensione di rottura drain-source
Id - corrente di drain continua
Rds On - Drain-source sulla resistenza
Vgs - Tensione gate-source
Vgs th - Tensione di soglia gate-source
Qg - Carica del gate
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Pd - Dissipazione di potenza
Modalità canale
Nome commerciale
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Scheda dati
3 442A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 450

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
3 296A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
1 282A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Scheda dati
1 722A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Scheda dati
509A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
312A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 650V
Scheda dati
1 046A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 30

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
776A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
1 589A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
454A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
418A magazzino
MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TOLL 650V
Scheda dati
1 364A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2 000

SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 650V
Scheda dati
794A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
202A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Scheda dati
773A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 77
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Scheda dati
604A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 60

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S
Scheda dati
2 716A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 272

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Scheda dati
722A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 72
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S
Scheda dati
800A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 80
: 800

SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S
Scheda dati
400A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S
Scheda dati
396A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 40

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Scheda dati
450A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 45

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
422A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC

onsemi MOSFET SiC SIC MOS TO247-4L 650V
Scheda dati
449A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC