IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x

Gli IGBT Trench Field Stop RGSx0TSX2x di ROHM Semiconductor sono transistor bipolari di gate isolati garantiti SCSOA (Area operativa di sicurezza dei cortocircuiti) da 10 µs, adatti per inverter generali, UPS, inverter PV e applicazioni con condizionatori di potenza. Gli IGBT RGSx0TSX2x offrono una perdita di conduzione ridotta che contribuisce a ridurre le dimensioni e a migliorare l'efficienza. Questi dispositivi utilizzano tecnologie originali trench-gate e a wafer sottile. Queste tecnologie aiutano a raggiungere una bassa tensione di saturazione collettore-emettitore (VCE(sat)) con perdite di commutazione ridotte. Questi IGBT forniscono un maggiore gestione dell'alimentazione in una varietà di applicazioni ad alta tensione e alta corrente.

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 Produttore
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Qtà RoHS Modello ECAD Tecnologia
Package/involucro
Stile di montaggio
Configurazione
Tensione collettore-emettitore VCEO Max
Tensione di saturazione collettore-emettitore
Tensione gate-emettitore massima
Collettore a corrente continua a 25 °C
Pd - Dissipazione di potenza
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Confezione
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
802A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
486A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
711A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 40A, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
868A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 80 A 555 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
218A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 50 A 395 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
Scheda dati
886A magazzino
Min: 1
Mult.: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube